设备架构

设备尺寸(L*W*H,单位: mm) 设备重量(Ton) 其他说明
≤33000*6100*4500 190 设备尺寸不含维护区域及楼梯

设备腔室说明

腔室编号 结构名称 功能作用
C1 进片室 接收从自动化传过来的载板,腔体从大气压抽到粗真空,传送载板到 C2 进片隔离室,腔体充压到大气并重新接收载板。
C2 进片隔离室 接收从 C1 进片室传过来的载板,进一步抽真空,并加热载板及硅片,传送载板到下一个腔室:C3 进片缓冲室。
C3 进片缓冲室 接收从 C2 进片隔离室传过来的载板,继续加热载板,调整载板间距,传送载板到下一个腔室:C4、C5 工艺室。此真空室为传动高低速转换室。
C4、C5 工艺真空室 接收从 C3 进片缓冲室传过来的载板,进行真空溅射镀膜,传送载板到下一个腔室:C6 出片缓冲室。
C6 出片缓冲室 接收从 C4、C5 工艺室传过来的载板,载板及硅片降温,传送载板到下一个腔室:C7 出片隔离室。此真空室为传动低高速转换室。
C7 出片隔离室 接收从 C6 出片缓冲室传过来的载板,进一步冷却载板及硅片,传送载板到下一个腔室。
C8 出片室 接收从 C7 出片隔离室传过来的载板,充气至大气压,传送载板到自动化下料端。

设备性能参数

 

 

 

 

 

 

设备参数

产能 14400片@M12半片
18000片@M10半片
节拍 48s
uptime ≥90%
靶材利用率 ≥80%
兼容性 可兼容M2/G1/M6/M10/G12等各类型硅片
良率 ≥99.5%
工艺腔室极限真空 ≤1*10-4 Pa(开机或复机后12h内)
腔体漏率 ≤1×10-6mbarL/min
温度均匀性 ±5℃@满足效率指标工艺条件(≤220℃)
托盘内膜厚均匀性 <5%
膜厚重复性 <5%
色差 无片内色差
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